Infineon IRL1004PBF

Name: Infineon IRL1004PBF
Brand: Infineon
SKU: IRL1004PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 40V; Rds(on) 0.0065 Ohm; Id 130A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs +/-16

$ 1.8

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Future Electronics	IRL1004PBF	2,000	50	Tube			1.590	1.540	1.500
Rochester Electronics	IRL1004PBF	10,794					1.430	1.280	1.210	5h
DigiKey	IRL1004PBF-ND	69	1	Tube	4.460	4.460	2.279	2.279	2.279
RS (Formerly Allied Electronics)	IRL1004PBF	0	1	Bulk	4.040	3.560	3.560	3.560	3.560	6h
Farnell	IRL1004PBF	0	1		3.322*	2.505*	1.674*	1.380*	1.380*	5h

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IHS

Datasheet10 페이지21년 전

Datasheet9 페이지21년 전

Datasheet9 페이지26년 전

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

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InfineonIRL1004PBF

Price @ 1000

$ 1.8

Stock

340,918

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220AB

Drain to Source Voltage (Vdss)

40 V

Continuous Drain Current (ID)

130 A

Threshold Voltage

1 V

Rds On Max

6.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

200 W

Input Capacitance

5.33 nF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1997-09-29

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2009-02-11

LTD Date2009-08-11

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRL1004PBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 0.0065Ohm;ID 130A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-16

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 40 V 0.0065 Ohm 100 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:130A; On Resistance Rds(On):0.0065Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Product Range:-Rohs Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, 40V, 130A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:130A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):6.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:130A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulse Current Idm:520A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:1V

element14 APAC

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 130 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 6.5 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 14 / Rise Time ns = 210 / Turn-OFF Delay Time ns = 25 / Turn-ON Delay Time ns = 16 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 200

Distrelec