Infineon IRGIB7B60KDPBF

Name: Infineon IRGIB7B60KDPBF
Brand: Infineon
SKU: IRGIB7B60KDPBF

IRGIB7B60 Series 600 V 8 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-220AB

$ 0.996

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRGIB7B60KDPBF	975					1.200	0.996	0.888	15h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRGIB7B60KDPBF	0	550	Bulk				13.460	13.460	7h
Farnell		IRGIB7B60KDPBF	0	1		3.357*	2.514*	2.188*	1.821*	1.821*	1h
Win Source	2	WS-IRGIB7B60KD	10,300	10			6.362	4.241	4.241	4.241	16h
Worldway Electronics	2	IRGIB7B60KDPBF	15,085	7	Tube		0.335	0.325	0.308	0.308	3d

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IHS

Datasheet13 페이지22년 전

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

Newark

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+0.00%

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-05-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2009-08-19

LTD Date2010-02-19

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRGIB7B60KDPBF에 대한 설명입니다.

IRGIB7B60 Series 600 V 8 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-220AB

Future Electronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

600V Low-Vceon Copack IGBT in a TO-220 FullPak package

International Rectifier

Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

IGBT, 600V, 12A, TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:12A; Collector Emitter Voltage Vces:2.2V; Power Dissipation Pd:39W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:12A; Fall Time Max:42ns; Fall Time tf:42ns; Package / Case:TO-220FP; Power Dissipation Max:39W; Power Dissipation Pd:39W; Power Dissipation Pd:39W; Pulsed Current Icm:24A; Rise Time:22ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC