Infineon IRGB8B60KPBF

Name: Infineon IRGB8B60KPBF
Brand: Infineon
SKU: IRGB8B60KPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

$ 4.65

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRGB8B60KPBF	0	300	Bulk				4.650	4.090	11h
Farnell	IRGB8B60KPBF	0	1		1.793*	1.389*	1.329*	1.149*	1.149*	10h
Component Stockers USA	IRGB8B60KPBF	8,464			1.430	1.400	1.350	1.310	1.310	>1wk
Win Source	WS-IRGB8B60KPBF	5,000	19				2.403	2.083	2.083	23h
Worldway Electronics	IRGB8B60KPBF	18,058	7	Tube		1.392	1.349	1.278	1.278	2d

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IHS

Datasheet13 페이지16년 전

Datasheet14 페이지22년 전

Newark

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-10-16

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2009-08-19

LTD Date2010-02-19

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRGB8B60KPBF에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package

International Rectifier

Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

IGBT, 600V, 17A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:28A; Collector Emitter Voltage Vces:2.2V; Power Dissipation Pd:167W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:28A; Fall Time Max:56ns; Fall Time tf:56ns; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Max:167W; Power Dissipation Pd:167W; Power Dissipation Pd:167W; Power Dissipation Ptot Max:167W; Pulsed Current Icm:56A; Rise Time:21ns; SMD Marking:IRGB8B60K; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC