Infineon IRGB10B60KDPBF

Name: Infineon IRGB10B60KDPBF
Brand: Infineon
SKU: IRGB10B60KDPBF

IRGB10B60 Series 600 V 22 A 156 W Insulated Gate Bipolar Transistor - TO-220AB

$ 1.18

Obsolete

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Distributor		SKU		Min
Rochester Electronics		IRGB10B60KDPBF	2,005				1.320	1.180	1.110	20h
Farnell		IRGB10B60KDPBF	0	1	4.649*	4.649*	2.399*	1.860*	1.860*	7h
Component Stockers USA		IRGB10B60KDPBF	2,925		1.500	1.500	1.400	1.270	1.270	>1wk
Win Source	2	WS-IRGB10B60KDPBF	22,000	25			1.871	1.570	1.570	21h
Worldway Electronics	2	IRGB10B60KD	17,723	7		1.139	1.104	1.046	1.046	2d

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3개월 추세: -34.20%

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IHS

Datasheet15 페이지13년 전

Newark

DigiKey

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

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3개월간의 트렌드:

-34.20%

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-05-22

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2019-09-30

LTD Date2020-03-31

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRGB10B60KDPBF에 대한 설명입니다.

IRGB10B60 Series 600 V 22 A 156 W Insulated Gate Bipolar Transistor - TO-220AB

Future Electronics

Target Applications: Air Conditioner; Dryer; Fan; Pump; Solar; UPS; Washing Machine; Welding

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package

International Rectifier

Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

IGBT, 600V, 22A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:22A; Collector Emitter Voltage Vces:2.2V; Power Dissipation Pd:104W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:22A; Fall Time Max:32ns; Fall Time tf:32ns; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Max:156W; Power Dissipation Pd:104W; Power Dissipation Pd:104W; Pulsed Current Icm:44A; Rise Time:20ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC