Infineon IRGB6B60KDPBF

Name: Infineon IRGB6B60KDPBF
Brand: Infineon
SKU: IRGB6B60KDPBF

600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package, TO220COPAK-3, RoHS

$ 5.28

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRGB6B60KDPBF	0	400	Bulk				5.280	4.750	23h
Farnell		IRGB6B60KDPBF	0	1		3.946*	3.946*	2.014*	1.581*	1.581*	6h
Win Source	2	WS-IRGB6B60KDPBF	15,000	50				1.189	0.793	0.793	7h
Worldway Electronics	2	IRGB6B60KDPBF	18,162	7	Tube		1.561	1.513	1.433	1.433	11h
IC Components Ltd.		IRGB6B60KDPBF	17,011			3.890	3.890	3.890	1.428	1.428	6d

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IHS

Datasheet15 페이지13년 전

Future Electronics

Newark

Farnell

TME

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-05-21

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRGB6B60KDPBF에 대한 설명입니다.

600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package, TO220COPAK-3, RoHS

Infineon SCT

N-Channel 600 V 18 A Flange Mount Insulated Gated Bipolar Transistor - TO-220AB

Future Electronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

Target Applications: Dishwasher; Dryer; Fan; Lighting HID; Pump; Refridgeration; Solar

Infineon

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

IGBT, 600V, 13A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:13A; Collector Emitter Voltage Vces:2V; Power Dissipation Pd:90W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:13A; Fall Time Max:22ns; Fall Time tf:22ns; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Max:90W; Power Dissipation Pd:90W; Power Dissipation Pd:90W; Pulsed Current Icm:26A; Rise Time:17ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC