Infineon IRGB4060DPBF

Name: Infineon IRGB4060DPBF
Brand: Infineon
SKU: IRGB4060DPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

$ 1.355

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	IRGB4060DPBF	91,200					1.490	1.240	1.100	16h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRGB4060DPBF	0	400	Bulk				5.760	5.760	9h
Mouser		942-IRGB4060DPBF	359	1	Tube	3.870	2.540	1.870	1.470	1.470
Verical	2	IRGB4060DPBF	13,550	202					1.550	1.375
Component Stockers USA		IRGB4060DPBF	29,601			1.240	1.240	1.170	1.050	1.050	3d

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Datasheet11 페이지19년 전

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-02-24

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2019-02-28

LTD Date2019-08-31

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRGB4060DPBF에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

IRGB4060DPbF Series 600 V 8 A N-Channel Bipolar Transistor IGBT - TO-220AB

Future Electronics

600V UltraFast Copack Trench IGBT in a TO-220AB package

RS (Formerly Allied Electronics)

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.85 V Current release time: 20 ns Power dissipation: 99 W

Distrelec

Transistor; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Collector Emitter Voltage, Vces:600V; Continuous Collector Current, Ic:16A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.85V; Power Dissipation, Pd:99W RoHS Compliant: Yes

Newark

IGBT, 600V, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:16A; Collector Emitter Voltage Vces:1.55V; Power Dissipation Pd:99W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Ic Continuous a Max:16A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:99W; Power Dissipation Pd:99W; Power Dissipation Pd:99W; Pulsed Current Icm:32A; Rise Time:15ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC