Infineon IRG4BC30SPBF

Name: Infineon IRG4BC30SPBF
Brand: Infineon
SKU: IRG4BC30SPBF

600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

$ 1.39

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	IRG4BC30SPBF	6,405					1.220	1.090	1.020	9h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRG4BC30SPBF	0	5	Bulk		3.740	3.370	3.370	3.370	1d
Farnell		IRG4BC30SPBF	0	1		1.027*	1.027*	1.027*	1.027*	1.027*	1d
Mouser		942-IRG4BC30SPBF	80	1	Tube	3.740	2.440	1.910	1.390	1.390
Verical	2	IRG4BC30SPBF	375	246					1.363	1.275

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Newark

Datasheet8 페이지16년 전

Datasheet8 페이지25년 전

IHS

Future Electronics

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-03-18

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRG4BC30SPBF에 대한 설명입니다.

600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.4 V Current release time: 390 ns Power dissipation: 100 W

Distrelec

IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:34A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.6V; Power Dissipation, Pd:100W; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes

Newark

SINGLE IGBT, 600V, 34A; Transistor Type:; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:34A; Collector Emitter Voltage Vces:1.6V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous a Max:34A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:590ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:100W; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulsed Current Icm:68A; Rise Time:18ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC