Infineon IRFR3518PBF

Name: Infineon IRFR3518PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR3518PBF

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

$ 1.83

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFR3518PBF	0	5	Bulk		2.040	1.830	1.830	1.830	18h
Farnell	IRFR3518PBF	0	5			1.292*	0.997*	0.616*	0.602*	1d
Win Source	WS-IRFR3518PBF	10,005	20				2.299	1.928	1.928	2h
Worldway Electronics	IRFR3518PBF	18,839	7	Tube		0.623	0.604	0.572	0.572	1h
SHENGYU ELECTRONICS	IRFR3518PBF	12,807	1		0.306	0.300	0.290	0.280	0.270	2d

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IHS

Datasheet11 페이지21년 전

Datasheet12 페이지21년 전

element14 APAC

iiiC

DigiKey

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-09-23

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFR3518PBF에 대한 설명입니다.

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 80V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

N CHANNEL MOSFET, 80V, 30A, D-PAK; Trans; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:38A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:30A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.4°C/W; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation Pd:110W; Pulse Current Idm:150A; SMD Marking:IRFR3518; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:80V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC