Infineon IRFR3303TRPBF

Name: Infineon IRFR3303TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR3303TRPBF

Single N-Channel 30 V 0.031 Ohm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFR3303TRPBF	0	2K	Bulk					1.850	13h
Farnell	2	IRFR3303TRPBF	0	1	Cut Tape	1.310*	1.118*	1.118*	1.118*	1.118*	20h
Win Source	2	WS-IRFR3303	30,000	12				3.152	2.826	2.826	21h
Worldway Electronics	2	IRFR3303	18,854	7			0.211	0.204	0.193	0.193	20h
RC Electronics	2	IRFR3303TRPBF	37,149	1		0.330	0.300	0.270	0.260	0.250	>1wk

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InfineonIRFR3303TRPBF

InfineonIRFR3303PBF

Price @ 1000

$ 1.95

Stock

204,368

172,259

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

20 A

Threshold Voltage

Rds On Max

31 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

57 W

Input Capacitance

750 pF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-03-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFR3303TRPBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 30 V 0.031 Ohm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:33A; On Resistance, Rds(on):31mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes

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