Infineon IRFR1018ETRPBF

Name: Infineon IRFR1018ETRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR1018ETRPBF

Single N-Channel 60 V 8.4 mOhm 69 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3

$ 0.47

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	13AC9119	51	1		2.000	1.350	1.100	1.100	1.100	13h
Newark	2	IRFR1018ETRPBF	51	1	Cut Tape	0.260	0.260	0.260	0.260	0.260
Future Electronics	2	IRFR1018ETRPBF	14,000	2K	Tape & Reel					0.365
Arrow Electronics	2	IRFR1018ETRPBF	17,494	1		0.470	0.470	0.470	0.470	0.470
Rutronik		TMOS1546	6,000	2K						0.398	18h

재고 내역

3개월 추세: -2.89%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRFR1018ETRPBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Farnell

Datasheet11 페이지17년 전

Newark

iiiC

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-2.89%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IRFR1018ETRPBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트	3D	다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

InfineonIRFR1018ETRPBF

InfineonAUIRFR1018E

Price @ 1000

$ 0.47

$ 7.96

Stock

811,242

145,408

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

56 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

8.4 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

110 W

Input Capacitance

2.29 nF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-03-07

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFR1018ETRPBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 60 V 8.4 mOhm 69 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Surface Mount

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:79A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:110W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 79 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 8.4 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 46 / Rise Time ns = 35 / Turn-OFF Delay Time ns = 55 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 110

Distrelec