Infineon IRFP90N20DPBF

Name: Infineon IRFP90N20DPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFP90N20DPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.023 Ohm; Id 94A; TO-247AC; Pd 580W; Vgs +/-30V

$ 2.976

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IRFP90N20DPBF	1,961	25				2.781	2.482	2.482	2d
Newark		IRFP90N20DPBF	1,262	1		7.850	5.050	4.380	4.330	4.330
Arrow Electronics		IRFP90N20DPBF	459	1		2.226	2.226	2.226	2.226	2.226
Future Electronics	2	IRFP90N20DPBF	402	25	Tube			3.100	3.030	2.970
Rochester Electronics		IRFP90N20DPBF	598					2.890	2.580	2.430	1d

재고 내역

3개월 추세: -33.91%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRFP90N20DPBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet10 페이지21년 전

Datasheet9 페이지24년 전

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

iiiC

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-33.91%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IRFP90N20DPBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2007-08-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2012-12-28

LTD Date2013-06-28

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFP90N20DPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.023Ohm;ID 94A;TO-247AC;PD 580W;VGS +/-30V

RS (Formerly Allied Electronics)

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 0.023ohm; 580W; -55+175 deg.C; THT; TO247AC

Maritex

Transistor MOSFET N Channel 200 Volt 94 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-247AC

Jameco

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 580 W

Distrelec

Single N-Channel 200 V 0.023 Ohm 270 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC

Future Electronics

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC

Semicontronic

N Channel Mosfet, 200V, 94A, To-247Ac; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:94A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFP90N20DPBF.

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

MOSFET, N, 200V, 94A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:94A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:580W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:94A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.26°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:23mohm; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:580W; Power Dissipation Pd:580W; Pulse Current Idm:380A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC