Infineon IRFP3306PBF

Name: Infineon IRFP3306PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFP3306PBF

Single N-Channel 60 V 4.2 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC

$ 1.384

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Rutronik		TMOSP12215	9,600	400					1.097	1.097	7h
Rochester Electronics		IRFP3306PBF	241					1.470	1.320	1.240	1d
Future Electronics	2	IRFP3306PBF	0	10	Tube		2.630	2.590	2.530	2.460
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFP3306PBF	0	2	Bulk		2.880	2.760	2.760	2.760	16h
Avnet	2	08N6351	0	1		2.850	2.520	1.920	1.640	1.640	2d

재고 내역

3개월 추세: +0.16%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRFP3306PBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Newark

Datasheet8 페이지18년 전

Datasheet9 페이지18년 전

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+0.16%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IRFP3306PBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-03-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

LTB Date2026-05-31

LTD Date2026-11-30

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFP3306PBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 60 V 4.2 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC

Future Electronics

MOSFET, N Ch., 60V, 160A, 4.2 MOHM, 85 NC QG, TO-247AC, Pb-Free

RS (Formerly Allied Electronics)

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Through Hole

Avnet

MOSFET, N, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:220W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:160A; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:220W; Pulse Current Idm:620A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon