Infineon IRFI1310NPBF

Name: Infineon IRFI1310NPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFI1310NPBF

Single N-Channel 100 V 0.036 Ohm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP

$ 0.788

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRFI1310NPBF	1,500	50				0.751	0.663	0.663	2d
Newark		IRFI1310NPBF	1,345	1		2.760	2.070	1.380	1.100	1.020
Arrow Electronics		IRFI1310NPBF	153	1		1.154	1.154	1.154	1.154	1.154
Future Electronics	2	IRFI1310NPBF	2,000	50	Tube			0.770	0.730	0.695
Rutronik		TMOSP12182	100	50				0.869	0.695	0.695	6h

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IHS

Datasheet9 페이지9년 전

Datasheet9 페이지28년 전

Newark

Farnell

iiiC

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1998-01-01

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

LTB Date2011-04-25

LTD Date2011-10-25

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFI1310NPBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 100 V 0.036 Ohm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package, TO-220-3 FP, RoHS

Infineon SCT

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=24A) | MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP

Win Source

Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack

Avnet

MOSFET, 100V, 22A, 36 MOHM, 80 NC QG, TO-220 FULLPACK

RS (Formerly Allied Electronics)

Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:22A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:45W; No. Of Pins:3Pins; Msl:-Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFI1310NPBF.

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

MOSFET, N, 100V, 22A, TO-220FP; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:22A; Resistance, Rds On:0.036ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:140A; No. of Pins:3; Power Dissipation:45W; Power, Pd:45W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:2.7°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Isolation:2.5kV; Voltage, Vds Max:100V

Farnell

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 24 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 36 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 40 / Rise Time ns = 56 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 11 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220FP / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 56

Distrelec