Infineon IRFH5010TRPBF

Name: Infineon IRFH5010TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFH5010TRPBF

Single N-Channel 100 V 9 mOhm 101 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

$ 1.053

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRFH5010TRPBF	45	1		1.605	1.295	1.168	1.168	1.168
Rochester Electronics	2	IRFH5010TRPBF	0					0.997	0.828	0.738	17h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFH5010TRPBF	0	8	Bulk		1.630	1.460	1.460	1.460	6h
Mouser		942-IRFH5010TRPBF	10	1	Tape & Reel	2.860	1.840	1.250	0.938	0.847
Microchip USA		IRFH5010TRPBF	258	300					5.425	5.425	11h

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Farnell

Datasheet10 페이지11년 전

Datasheet8 페이지14년 전

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-03-29

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFH5010TRPBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 100 V 9 mOhm 101 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN

Win Source

MOSFET, 100V, 100A, 9.0 mOhm, 65 nC Qg,PQFN 5x6

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:3.6W

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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