Infineon IRFB812PBF

Name: Infineon IRFB812PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFB812PBF

MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB / Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

$ 0.856

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRFB812PBF	13,400					0.508	0.422	0.376	16h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFB812PBF	0	5	Bulk		1.440	1.290	1.290	1.290	8h
Farnell	IRFB812PBF	0	1		0.744*	0.744*	0.659*	0.571*	0.571*	2h
Verical	IRFB812PBF	12,600	656					0.527	0.470
Component Stockers USA	IRFB812PBF	17,512			0.420	0.420	0.400	0.360	0.360	1d

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3개월 추세: -17.65%

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IHS

Datasheet8 페이지14년 전

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3개월간의 트렌드:

-17.65%

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-06-24

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

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MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB / Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Win Source

Single N-Channel 500 V 2.2 Ohm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 500V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 500V, 3.6A,TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.75ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:78W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3

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