Infineon IRF7342TRPBF

Name: Infineon IRF7342TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7342TRPBF

Mosfet, Power; Dual P-ch; Vdss -55V; Rds(on) 0.105 Ohm; Id -3.4A; SO-8; Pd 2W; Vgs +/-20

$ 0.527

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	IRF7342PBFCT-ND	75,396	1	Cut Tape	1.870	1.190	0.798	0.576	0.535
Avnet		IRF7342TRPBF	152,000	4K						0.274	19h
Newark		IRF7342TRPBF	3,482	1	Cut Tape	0.281	0.281	0.281	0.281	0.281
Future Electronics	2	IRF7342TRPBF	12,000	4K	Tape & Reel					0.590
Arrow Electronics	4	IRF7342TRPBF	3,810	1		1.314	0.885	0.685	0.527	0.495

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2016-05-26

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF7342TRPBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID -3.4A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20

RS (Formerly Allied Electronics)

Dual P-Channel 55 V 0.17 Ohm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Transistor MOSFET 2xP-Ch. 3,4A/55V SO8 IRF 7342 TRPBF

Rapid Electronics

Trans MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 55V, 0.105ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

Semicontronic

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-55V; Continuous Drain Current, Id:-3.4A; On Resistance, Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon