Infineon IRF6637TRPBF

Name: Infineon IRF6637TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF6637TRPBF

Single N-Channel 30 V 7.7 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®

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Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	IRF6637TRPBF	17,234					1.060	0.880	0.784	12h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF6637TRPBF	0	4800	Bulk					2.090	1h
Win Source	2	WS-IRF6637TRPBF	9,449	105					0.381	0.381	13h
Worldway Electronics	2	IRF6637	18,443	7			0.933	0.915	0.880	0.862	12h
Esaler Electronic		IRF6637TRPBF	226			1.330	1.317	1.304	1.291	1.279	3h

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-02-15

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2008-07-04

LTD Date2008-12-30

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF6637TRPBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 30 V 7.7 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 7-Pin Direct-FET MP T/R

Avnet

A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MP package rated at 52 amperes., MG-WDSON-5, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

IRF6637 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET;

Farnell

DirectFETPower MOSFET DIRECTFET MP

ACDS

2.3W(Ta),42W(Tc) 20V 2.35V@ 250¦ÌA 17nC@ 4.5 V 1N 30V 7.7m¦¸@ 14A,10V 14A,59A 1.33nF@15V WDSON-5 , 6.35mm*5.05mm*700¦Ìm

Unikeyic (ICkey)

MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:11A; On-Resistance, Rds(on):7.7mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DirectFET MP RoHS Compliant: No

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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