Infineon IRF4905SPBF

Name: Infineon IRF4905SPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF4905SPBF

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -70V; -44A; 0.02ohm; 170W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)

$ 1.88

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF4905SPBF	0	5	Bulk	2.820	1.880	1.880	1.880	13h
Farnell	IRF4905SPBF	0	5		1.876*	1.509*	1.089*	1.067*	20h
Microchip USA	IRF4905SPBF	303	3K	Tray				0.800	12h
Win Source	WS-875010	45,710	75			0.684	0.532	0.532	21h
Worldway Electronics	IRF4905SPBF	10,737	7	Tube	0.601	0.572	0.572	0.572	20h

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1998-06-25

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF4905SPBF에 대한 설명입니다.

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -70V; -44A; 0.02ohm; 170W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)

Maritex

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 20Milliohms;ID -70A;D2Pak;PD 170W;VGS +/-2

RS (Formerly Allied Electronics)

Single P-Channel 55 V 20 mOhm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

170W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 180nC@ 10 V 1P 55V 20m¦¸@ 42A,10V 42A 3.5nF@25V D2PAK 5.08mm

UnikeyIC

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: D2PAK Polarity: P Power dissipation: 200 W

Distrelec

HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET

Infineon

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-55V; Continuous Drain Current, Id:-42A; On Resistance, Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V ;RoHS Compliant: Yes

Newark