Infineon IRF1010ZSTRLPBF

Name: Infineon IRF1010ZSTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF1010ZSTRLPBF

Single N-Channel 55 V 7.5 mOhm 95 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

$ 1.622

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	2	IRF1010ZSTRLPBFCT-ND	103	1	Cut Tape	3.630	2.352	1.622	1.622	1.622
Arrow Electronics	2	IRF1010ZSTRLPBF	2,978	3			1.294	1.294	1.294	1.294
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF1010ZSTRLPBF	0	10	Bulk		1.920	1.690	1.690	1.690	6h
Microchip USA		IRF1010ZSTRLPBF	2,086	600					2.256	2.256	3d
GreenChips		IRF1010ZSTRLPBF	49			1.070	1.070	1.019	0.970	0.876	13h

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2003-03-25

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRF1010ZSTRLPBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 55 V 7.5 mOhm 95 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature

Infineon

Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:75A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:140W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF1010ZSTRLPBF.

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