Infineon IPD65R400CEAUMA1

Name: Infineon IPD65R400CEAUMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD65R400CEAUMA1

Single N-Channel 650 V 400 mOhm 39 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-252-3, PG-TO252-3, RoHS

$ 0.469

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPD65R400CEAUMA1	2,885	1	Cut Tape	1.640	1.090	0.778	0.600	0.600
Arrow Electronics	2	IPD65R400CEAUMA1	938	1		0.148	0.146	0.144	0.142	0.142
Future Electronics	2	IPD65R400CEAUMA1	2,500	2500	Tape & Reel					0.360
DigiKey	3	IPD65R400CEAUMA1CT-ND	17,813	1	Cut Tape	1.590	1.001	0.666	0.475	0.475
Avnet		IPD65R400CEAUMA1	0	2500						0.322	2d

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Datasheet15 페이지0년 전

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공급망

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2016-02-23

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPD65R400CEAUMA1에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 650 V 400 mOhm 39 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-252-3, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

N-Channel 650V 15.1A(Tc) 3.5V @ 320uA 400mΩ @ 3.2A,10V 118W(Tc) PG-TO252-3 MOSFET RoHS

Jak Electronics

Power Field-Effect Transistor, 15.1A I(D), 650V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

Mosfet, N-Ch, 650V, 15.1A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15.1A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.36Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD65R400CEAUMA1

Newark

Summary of Features: Narrow margins between typical and max R DS(on); Reduced energy stored in output capacitance (E oss); Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr); Optimized integrated R g | Benefits: Low conduction losses; Low switching losses; Suitable for hard and soft switching; Easy controllable switching behavior; Improved efficiencyand consequent reduction of power consumption; Less design in effort; Easy to use | Target Applications: Laptop and notebook adapter; Low power charger; Lighting; LCD and LED TV

Infineon