Infineon IPD30N06S215ATMA2

Name: Infineon IPD30N06S215ATMA2
Brand: Infineon
SKU: IPD30N06S215ATMA2

Mosfet Transistor, N Channel, 30 A, 55 V, 0.0113 Ohm, 10 V, 3 V

$ 0.684

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	IPD30N06S215ATMA2	6,918	1		0.560	0.560	0.560	0.560	0.560
Rochester Electronics		IPD30N06S215ATMA2	11,394					0.751	0.623	0.555	3h
DigiKey	3	IPD30N06S215ATMA2CT-ND	5,964	1	Cut Tape	2.220	1.419	0.960	0.701	0.701
Newark		IPD30N06S215ATMA2	0	1	Cut Tape	2.140	1.370	0.925	0.684	0.684
Avnet		IPD30N06S215ATMA2	0	2500						0.582	1d

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IHS

Datasheet8 페이지19년 전

iiiC

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공급망

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-07-18

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPD30N06S215ATMA2에 대한 설명입니다.

Mosfet Transistor, N Channel, 30 A, 55 V, 0.0113 Ohm, 10 V, 3 V

Newark

N-Channel 55 V 14.7 mOhm 110 nC OptiMOS® Power-Transistor - PG-TO252-3-11

Future Electronics

55V, N-Ch, 14.7 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Semicontronic

MOSFET, N-CH, 55V, 30A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.0113ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Pow

Farnell

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors

Infineon