Infineon IRFR5305PBF

Name: Infineon IRFR5305PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR5305PBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -55V; Rds(on) 0.065 Ohm; Id -31A; D-pak (TO-252AA); Pd 110W

$ 0.638

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor	SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	IRFR5305PBF	1	1		0.638	0.638	0.638	0.638	0.638
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFR5305PBF	0	1125	Bulk					1.700	1d
Farnell	IRFR5305PBF	0	5			1.004*	0.545*	0.459*	0.449*	7h
Win Source	WS-IRFR5305PBF	74,400	190					0.225	0.208	9h
Worldway Electronics	IRFR5305PBF	18,345	7	Tube		0.208	0.198	0.198	0.198	8h

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRFR5305PBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet12 페이지21년 전

Newark

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IRFR5305PBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-07-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFR5305PBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W

RS (Formerly Allied Electronics)

Single P-Channel 55 V 0.065 Ohm 42 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET

Infineon

MOSFET, P, -55V, -28A, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:-31A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.4°C/W; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation Pd:110W; Pulse Current Idm:110A; SMD Marking:IRFR5305; Termination Type:SMD; Voltage Vds:55V; Voltage Vds Typ:-55V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

element14 APAC