Infineon IPB65R190CFDATMA1

Name: Infineon IPB65R190CFDATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB65R190CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

$ 1.56

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IPB65R190CFDATMA1	150,793					1.740	1.560	1.460	3h
Farnell	2	IPB65R190CFDATMA1	1,775	1	Cut Tape	3.836*	2.499*	1.959*	1.486*	1.486*	3h
Verical		IPB65R190CFDATMA1	150,793	173					1.950	1.825
Win Source		WS-IPB65R190CFDATMA1	38,206	12				3.722	3.337	3.337	4h
Worldway Electronics		IPB65R190CFDATMA1	12,572	7	Tape & Reel		1.120	1.086	1.028	1.028	7h

재고 내역

3개월 추세: -25.42%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IPB65R190CFDATMA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet20 페이지14년 전

_legacy Avnet

TME

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-25.42%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IPB65R190CFDATMA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드
Ultra Librarian	심벌풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

InfineonIPB65R190CFDATMA1

InfineonIPB65R190CFDAATMA1

Price @ 1000

$ 1.56

$ 1.76

Stock

372,436

256,219

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-263-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

650 V

Continuous Drain Current (ID)

17.5 A

Threshold Voltage

Rds On Max

190 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

Power Dissipation

151 W

Input Capacitance

1.85 nF

공급망

Country of OriginAustria, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-05-11

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2023-08-31

LTD Date2024-02-29

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPB65R190CFDATMA1에 대한 설명입니다.

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

MOSFET, N CH, 700V, 17.5A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17.5A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.17; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.

Infineon