Infineon IPA057N08N3GXKSA1

Name: Infineon IPA057N08N3GXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPA057N08N3GXKSA1

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 60 A, 0.0049 ohm, TO-220FP, Through Hole

$ 1.074

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	IPA057N08N3GXKSA1	658	1		3.755	3.755	1.693	1.373	1.373
Rochester Electronics		IPA057N08N3GXKSA1	341					1.270	1.050	0.940	14h
DigiKey		448-IPA057N08N3GXKSA1-ND	15	1	Tube	3.270	3.270	1.466	1.097	0.938
Future Electronics	2	IPA057N08N3GXKSA1	0	500	Tube				0.950	0.895
Avnet		IPA057N08N3GXKSA1	0	500					0.926	0.859	4d

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공급망

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-11-20

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IPA057N08N3GXKSA1에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 60 A, 0.0049 ohm, TO-220FP, Through Hole

EBV Elektronik

OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

Mosfet, N-Ch, 80V, 60A, To-220Fp; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(On):0.0049Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPA057N08N3GXKSA1

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 60 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 80 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 5.7 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 9 / Rise Time ns = 42 / Turn-OFF Delay Time ns = 36 / Turn-ON Delay Time ns = 17 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220FP / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 39

Distrelec