Infineon IKA15N65F5XKSA1

Name: Infineon IKA15N65F5XKSA1
Brand: Infineon
SKU: IKA15N65F5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 14A 33300mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

$ 0.966

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Newark	IKA15N65F5XKSA1	570	1		2.520	1.810	1.110	0.939	0.871
Rochester Electronics	IKA15N65F5XKSA1	12,845					1.150	0.955	0.851	22h
DigiKey	IKA15N65F5XKSA1-ND	559	1	Tube	3.520	3.520	1.569	1.168	0.943
Avnet	IKA15N65F5XKSA1	0	500					0.925	0.849	1d
Arrow Electronics	IKA15N65F5XKSA1	0	500					1.478	1.446

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IHS

Datasheet17 페이지4년 전

TME

Newark

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공급망

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-11-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IKA15N65F5XKSA1에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Chip N-CH 650V 14A 33300mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Verical

650 V, 15 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO220-3, RoHS

Infineon SCT

IGBT 650V 14A TO220-FP / IGBT 650 V 14 A 33.3 W Through Hole PG-TO220-FP

Win Source

Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

High Speed 650 V, 15 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT.

Infineon

IGBT, 650V, 15A, TO220-3; DC Collector Current: 15A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 33.3W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins;

Farnell