Infineon IGW15N120H3FKSA1

Name: Infineon IGW15N120H3FKSA1
Brand: Infineon
SKU: IGW15N120H3FKSA1

Infineon IGW15N120H3FKSA1 IGBT, 15 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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Newark	2	IGW15N120H3FKSA1	460	1		5.860	5.320	3.890	3.120	3.120
Arrow Electronics	2	IGW15N120H3FKSA1	1,992	1		4.196	4.154	1.935	1.381	1.381
DigiKey		448-IGW15N120H3FKSA1-ND	56	1	Tube	4.970	4.970	2.734	1.878	1.516
Future Electronics		IGW15N120H3FKSA1	0	30	Tube			1.650	1.600	1.550
Avnet		IGW15N120H3FKSA1	0	480					1.349	1.305	10h

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공급망

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-12-15

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IGW15N120H3FKSA1에 대한 설명입니다.

Infineon IGW15N120H3FKSA1 IGBT, 15 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

TodayComponents

1200 V, 15 A single HighSpeed 3 H3 in a TO247 package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

Infineon

IGBT,1200V,15A,TO247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Voltage Vces:2.4V; Power Dissipation Pd:217W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:217W

element14 APAC

Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 15 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) kV = 1.2 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 2.05 / Emitter Leakage Current nA = 600 / Power Dissipation (Pd) W = 217 / Gate Emitter Voltage (Vge) V = 20 / Operating Temperature Min. °C = -40 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-247 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260

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