Infineon IDH06G65C6XKSA1

Name: Infineon IDH06G65C6XKSA1
Brand: Infineon
SKU: IDH06G65C6XKSA1

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 650V V(RRM), Silicon, TO-220AC

$ 0.893

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	33AC2812	72	1		3.120	1.640	1.480	1.170	1.170	3d
Newark		IDH06G65C6XKSA1	580	1		1.040	1.040	1.040	1.040	1.040
Arrow Electronics	2	IDH06G65C6XKSA1	847	1		3.059	1.719	1.565	1.288	1.288
DigiKey		448-IDH06G65C6XKSA1-ND	190	1	Tube	3.490	3.490	1.578	1.186	1.018
Future Electronics		IDH06G65C6XKSA1	0	50	Tube			0.705	0.660	0.640

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InfineonIDH06G65C6XKSA1

InfineonIDH20G65C6XKSA1

Price @ 1000

$ 0.893

$ 3.202

Stock

224,009

176,658

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

Forward Voltage

1.35 V

Reverse Voltage (DC)

Forward Current

16 A

41 A

Max Reverse Leakage Current

Reverse Recovery Time

Capacitance

302 pF

970 pF

공급망

Country of OriginAustria, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.80

Introduction Date2017-08-30

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IDH06G65C6XKSA1에 대한 설명입니다.

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 650V V(RRM), Silicon, TO-220AC

Semicontronic

Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 16 A, 9.6 nC, TO-220, 2 Pins

Avnet

Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Through Hole PG-TO220-2

Future Electronics

Infineon 650V 6A, SiC Schottky Diode, 2-Pin PG-TO220 IDH06G65C6XKSA1

TodayComponents

Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

Verical

Schottky SiC Diodes; INFINEON; IDH06G65C6XKSA1; 16 A; 38 A; 650 V; 500

Maritex

Sic Schottky Diode, 650V, 16A, To-220; Product Range:Coolsic 6G Series; Diode Configuration:Single; Repetitive Peak Reverse Voltage:650V; Average Forward Current:16A; Total Capacitive Charge:9.6Nc; Diode Case Style:To-220 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IDH06G65C6XKSA1

Newark

The CoolSiC™ Schottky diode 650V G6 is the leading edge technology from Infineon for the SiC Schottky barrier diodes, fully leveraging all advantages of SiC over silicon. An Infineon proprietary innovative soldering process is combined with a more compact design, thin-wafer technology and a novel Schottky metal system. The result is a family of products with improved efficiency over all load conditions, resulting from a best-in-class figure of merit (Q c x V F).

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