Infineon FF450R12KE4HOSA1

Name: Infineon FF450R12KE4HOSA1
Brand: Infineon
SKU: FF450R12KE4HOSA1

IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module

$ 120.21

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	FF450R12KE4HOSA1	21	1		141.43	117.16	117.16	117.16	117.16
Arrow Electronics	FF450R12KE4HOSA1	18	1		124.41	123.26	123.26	123.26	123.26
Rochester Electronics	FF450R12KE4HOSA1	20					113.75	101.78	95.790	4h
DigiKey	FF450R12KE4HOSA1-ND	108	1	Tray	137.31	113.75	113.75	113.75	113.75
RS (Formerly Allied Electronics)	FF450R12KE4	0	1	Bulk	172.84	152.10	152.10	152.10	152.10	18h

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Infineon

Datasheet1 페이지14년 전

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InfineonFF450R12KE4HOSA1

InfineonFF450R12KE4EHOSA1

Price @ 1000

$ 120.21

$ 115.454

Stock

294,998

231,609

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

Collector Emitter Breakdown Voltage

Max Collector Current

520 A

Power Dissipation

2.4 kW

Collector Emitter Saturation Voltage

2.15 V

Reverse Recovery Time

공급망

Country of OriginAustria, Hungary

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-10-30

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon FF450R12KE4HOSA1에 대한 설명입니다.

IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module

Newark

Trans IGBT Module N-CH 1200V 520A 2400000mW 7-Pin 62MM Tray

Verical

Infineon FF450R12KE4HOSA1 Series IGBT Module, 520 A 1200 V AG-62MM-1, Panel Mount

TodayComponents

62 mm 1200 V, 450 A dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled Diode. Also available with Thermal Interface Material.

Infineon

IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 520A; Transistor Polarity: Dual NPN; DC Collector Current: 520A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.75V; Power Dissipation Pd: 2.4kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Trans

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