Infineon BSZ0902NSATMA1

Name: Infineon BSZ0902NSATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSZ0902NSATMA1

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

$ 0.388

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	BSZ0902NSATMA1	5,000	1		0.360	0.360	0.360	0.360	0.360
Rochester Electronics		BSZ0902NSATMA1	9,647					0.409	0.339	0.302	10h
DigiKey	3	BSZ0902NSATMA1CT-ND	9,950	1	Cut Tape	1.430	0.901	0.596	0.423	0.387
Avnet		BSZ0902NSATMA1	0	5K						0.268	3d
Future Electronics	2	BSZ0902NSATMA1	0	5K	Tape & Reel					0.500

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element14 APAC

Datasheet9 페이지13년 전

Upverter

IHS

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공급망

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-04-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon BSZ0902NSATMA1에 대한 설명입니다.

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Source Voltage Vds:30V; On Resistance

element14 APAC

Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

Infineon

MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 48W; Transistor Case Style: TSDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell