Infineon BSP322P L6327

Name: Infineon BSP322P L6327
Brand: Infineon
SKU: BSP322P L6327

MOSFET, P-CH, 100V, 1A, SOT-223; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Farnell	BSP322P L6327	0	1		0.257*	0.257*	0.257*	0.257*	0.257*	19h
Win Source	WS-BSP322PL6327	20	17				2.351	2.037	2.037	20h
Worldway Electronics	BSP322PL6327	12,942	7			1.547	1.518	1.460	1.431	20h
QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD	BSP322PL6327	문의하기								>1wk
SD Chips	BSP322PL6327	문의하기		Bulk	0.210	0.210	0.200	0.200	0.200	>1wk

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element14 APAC

Datasheet9 페이지15년 전

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InfineonBSP322P L6327

InfineonBSP322PH6327XTSA1

Price @ 1000

$ 0.313

Stock

12,962

536,685

Authorized Distributors

1

6

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-223-4

SOT-223

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

-100 V

Continuous Drain Current (ID)

1 A

Threshold Voltage

-

Rds On Max

800 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

1.8 W

Input Capacitance

372 pF

280 pF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-04-10

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2013-05-15

LTD Date2013-11-15

설명

유통업체에서 제공한 Infineon BSP322P L6327에 대한 설명입니다.

MOSFET, P-CH, 100V, 1A, SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain

Newark

Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, 4-PIN

SHENGYU ELECTRONICS

MOSFET, P-CH, 100V, 1A, SOT-223; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -1A; Drain Source Voltage Vds: -100V; On Resistance Rds(on): 0.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -1.5V; P

Farnell