Infineon BSD223PH6327XTSA1

Name: Infineon BSD223PH6327XTSA1
Brand: Infineon
SKU: BSD223PH6327XTSA1

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R

$ 0.076

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	12AC9450	80,314	1		0.392	0.248	0.164	0.128	0.128	3d
Newark	2	BSD223PH6327XTSA1	80,314	1	Cut Tape	0.022	0.022	0.022	0.022	0.022
Arrow Electronics	2	BSD223PH6327XTSA1	22,150	1		0.062	0.059	0.059	0.059	0.059
Rochester Electronics		BSD223PH6327XTSA1	1,480					0.067	0.056	0.050	8h
DigiKey	3	BSD223PH6327XTSA1CT-ND	101,487	1	Cut Tape	0.390	0.241	0.152	0.100	0.100

재고 내역

3개월 추세: +20.58%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon BSD223PH6327XTSA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet9 페이지23년 전

iiiC

DigiKey

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+20.58%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon BSD223PH6327XTSA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date2002-07-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2007-09-30

LTD Date2008-03-31

설명

유통업체에서 제공한 Infineon BSD223PH6327XTSA1에 대한 설명입니다.

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R

EBV Elektronik

Dual P-Channel -20 V 1.2 Ohm -0.39 A OptiMOS Small-Signal-Transistor-PG-SOT363-6

Future Electronics

OPTIMOS-P SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 0.39A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

Mosfet, P-Ch, 20V, 0.39A, 150Deg C/0.25W; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:390Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:900Mv Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD223PH6327XTSA1

Newark

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

Infineon