Infineon BSC265N10LSFGATMA1

Name: Infineon BSC265N10LSFGATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC265N10LSFGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 8-Pin TDSON EP

$ 0.454

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	BSC265N10LSFGATMA1	2,165	1	Cut Tape	0.396	0.396	0.396	0.396	0.396
Arrow Electronics		BSC265N10LSFGATMA1	19,585	1		1.175	1.175	1.175	1.175	1.175
Rutronik		TMOSP9611	5,000	5K						0.401	7h
DigiKey	3	BSC265N10LSFGATMA1CT-ND	14,997	1	Cut Tape	1.580	0.997	0.663	0.473	0.434
Avnet	2	BSC265N10LSFGATMA1	0	5K						0.340	2d

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IHS

Datasheet10 페이지15년 전

_legacy Avnet

iiiC

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공급망

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-07-14

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon BSC265N10LSFGATMA1에 대한 설명입니다.

Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 8-Pin TDSON EP

Verical

MOSFET Devices; INFINEON; BSC265N10LSFGATMA1; 100 V; 40 A; 20 V; 78 W

Maritex

78W 20V 16nC@ 10V 1N 100V 26.5m¦¸@ 10V 1.2nF@ 50V TDSON-8 , 5.9mm*5.15mm*1.27mm

UnikeyIC

Conn Unshrouded Header HDR 20 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Semicontronic

N-CH 100V 40A 26.5mOhm TDSON-8

Rutronik

MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON

DigiKey

Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).

Infineon

BSC265N10LSFG INFINEON TDSON-8

IC Components Ltd.

MOSFET, N CH, 40A, 100V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; Current Id Max:40A; Power Dissipation Pd:78W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

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