Infineon BSC109N10NS3GATMA1

Name: Infineon BSC109N10NS3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC109N10NS3GATMA1

78KW 20V 26NC@ 10V 1N 100V 10.9M¦¸@ 10V 1.9NF@ 50V Tdson(ep) , 5.15MM*590CM*1MM

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	47Y7998	5	1		1.950	1.230	0.935	0.935	0.935	2d
Newark	2	BSC109N10NS3GATMA1	5	1	Cut Tape	1.950	1.230	0.935	0.935	0.935
Arrow Electronics	2	BSC109N10NS3GATMA1	11,306	1		0.497	0.497	0.497	0.497	0.497
Future Electronics	2	BSC109N10NS3GATMA1	15,000	5K	Tape & Reel					0.935
Rochester Electronics		BSC109N10NS3GATMA1	42					0.762	0.632	0.564	7h

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공급망

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-04-22

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

설명

유통업체에서 제공한 Infineon BSC109N10NS3GATMA1에 대한 설명입니다.

78KW 20V 26nC@ 10V 1N 100V 10.9m¦¸@ 10V 1.9nF@ 50V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm

Unikeyic (ICkey)

100V 63A 78W 10.9mΩ@10V,46A 3.5V@45uA 1 N-Channel PDFN-8(5.2x6.2) MOSFETs ROHS

ODG (Origin Data Global)

100V 63A 78W 10.9m´Î@10V46A 3.5V@45Ã×A N Channel PG-TDSON-8 MOSFETs ROHS

Dasenic

Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON T/R

Avnet

MOSFET, N CH, 100V, 63A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:63A; Source Voltage Vds:100V; On Resistance

element14 APAC

Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 100V, 0.0109ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

N-CH 100V 63A 10.9mOhm TDSON-8

Rutronik

Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).

Infineon

BSC109N10NS3G INFINEON TDSON-8-4

IC Components Ltd.