Infineon BFR181WH6327XTSA1

Name: Infineon BFR181WH6327XTSA1
Brand: Infineon
SKU: BFR181WH6327XTSA1

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN

$ 0.13

NRND

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	BFR181WH6327XTSA1	2,765	1		0.295	0.203	0.152	0.123	0.123
Rochester Electronics		BFR181WH6327XTSA1	133					0.147	0.122	0.109	17h
DigiKey	3	BFR181WH6327XTSA1CT-ND	61,429	1	Cut Tape	0.310	0.215	0.164	0.137	0.137
Newark	2	BFR181WH6327XTSA1	0	5	Cut Tape		0.261	0.223	0.223	0.223
Future Electronics	2	BFR181WH6327XTSA1	0	3K	Tape & Reel					0.096

재고 내역

3개월 추세: +143%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon BFR181WH6327XTSA1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet6 페이지12년 전

TME

_legacy Avnet

Farnell

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+143%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon BFR181WH6327XTSA1 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-06-24

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

관련 부품

NXP SemiconductorsBFU550XRR

RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R / RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-143R

세부 사항

NXP SemiconductorsBFU910FX

RF Transistor, Transition Freq 90 GHz, 3V, 0.65 dB NF, 2 dBm, SOT343F, SiGe

세부 사항

ROHM2SCR523EBTL

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

세부 사항

ROHM2SCR502EBTL

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

세부 사항

ROHM2SCR522EBTL

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

세부 사항

onsemiBC848BMTF

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

세부 사항

InfineonBFR181WH6327XTSA1

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN

세부 사항

InfineonBFS481H6327XTSA1

BFS481 Series 20 V 20 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-363

세부 사항

InfineonBFP183WH6327XTSA1

BFP183 Series 12 V 65 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-343-4

세부 사항

NXP SemiconductorsBFG540/XR,215

Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R

세부 사항

NXP SemiconductorsBFU530XRR

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN

세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 Infineon BFR181WH6327XTSA1에 대한 설명입니다.

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN

IHS

Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323

Avnet

BFR181 Series NPN 12V 20mA 8GHz 175mW RF Transistor PG-SOT323

Future Electronics

NPN Silicon RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA

Infineon

NPN 175mW 2V 100¦ÌA 20V 12V 20mA SOT-323 2mm*1.25mm

UnikeyIC

Trans GP BJT NPN 12V 0.02A 3-Pin SOT-323 T/R

AAA CHIPS

RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS

HQonline

RF TRANSISTOR, SOT-323; Transistor Type:RF Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:12V; Continuous Collector Current Ic:20mA; ft, Typ:8GHz; Case Style:SOT-323; Power, Dissipation Pd:175mW; Termination;RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = NPN / Continuous Collector Current (Ic) mA = 20 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 12 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 20 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 2 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 8 / Power Dissipation (Pd) mW = 175 / Package Type = SC-70 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel

Distrelec