Infineon BC859CE6327HTSA1

Name: Infineon BC859CE6327HTSA1
Brand: Infineon
SKU: BC859CE6327HTSA1

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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DigiKey		BC859CE6327HTSA1CT-ND	11	1	Cut Tape	0.300	0.184	0.184	0.184	0.184
Future Electronics	2	BC859CE6327HTSA1	0	3K	Tape & Reel					0.039
Avnet		BC859CE6327HTSA1	0	45K							1d
Arrow Electronics		BC859CE6327HTSA1	0	45K

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공급망

Country of OriginAustria, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1984-10-10

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2015-10-15

LTD Date2016-10-15

설명

유통업체에서 제공한 Infineon BC859CE6327HTSA1에 대한 설명입니다.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

Semicontronic

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

PNP Bipolar Transistor, SOT23, RoHS

Infineon SCT

Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 30 / DC Current Gain (hFE) = 420 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 30 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 250 / Power Dissipation (Pd) mW = 330 / Package Type = SC-59 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 650 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 850

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