Infineon AUIRLR3114Z

Name: Infineon AUIRLR3114Z
Brand: Infineon
SKU: AUIRLR3114Z

Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package

$ 1.13

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	AUIRLR3114Z	9,498					1.360	1.130	1.010	9h
RS (Formerly Allied Electronics)	AUIRLR3114Z	0	3K	Bulk					1.090	2h
Farnell	AUIRLR3114Z	0	1		1.001*	1.001*	1.001*	1.001*	1.001*	8h
Win Source	WS-AUIRLR3114Z	1,356	40				1.340	1.088	1.088	10h
Worldway Electronics	AUIRLR3114Z	18,357	7	Bulk		0.359	0.348	0.330	0.330	1d

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InfineonAUIRLR3114Z

InfineonIRLR3114ZTRPBF

Price @ 1000

$ 1.13

$ 0.537

Stock

85,047

840,584

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

40 V

Continuous Drain Current (ID)

42 A

Threshold Voltage

1 V

Rds On Max

4.9 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

140 W

Input Capacitance

3.81 nF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-06-22

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2020-11-15

LTD Date2021-05-15

설명

유통업체에서 제공한 Infineon AUIRLR3114Z에 대한 설명입니다.

Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package

International Rectifier

AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 40V, 42A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)

Farnell