Infineon AUIRF7665S2TR1

Name: Infineon AUIRF7665S2TR1
Brand: Infineon
SKU: AUIRF7665S2TR1

Trans MOSFET N-CH 100V 4.1A 6-Pin Direct-FET SB T/R

$ 0.98

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

	Distributor		SKU		Min	Pkg
	RS (Formerly Allied Electronics)		AUIRF7665S2TR1	0	1K	Bulk				0.980	0.890	8h
	Farnell		AUIRF7665S2TR1	0	1		0.826*	0.826*	0.691*	0.609*	0.418*	14h

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon AUIRF7665S2TR1에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet11 페이지15년 전

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-01-05

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2014-06-20

LTD Date2014-12-20

설명

유통업체에서 제공한 Infineon AUIRF7665S2TR1에 대한 설명입니다.

Trans MOSFET N-CH 100V 4.1A 6-Pin Direct-FET SB T/R

Avnet

N Channel, MOSFET, 100V, 14.4A, DirectFET SB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.051ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

A 100V Automotive Grade Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SB package rated at 14.4 amperes with optimized gate charge, body diode reverse recovery and internal gate resistance to improve key Class D audio amplifier performance factors su

International Rectifier

MOSFET,N CH,100V,77A,DIRECTFET SB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.1A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):51mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DirectFET; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:77A; Power Dissipation Pd:30W; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC