Diodes Inc. ZXMN2F34FHTA

Name: Diodes Inc. ZXMN2F34FHTA
Brand: Diodes Inc.
SKU: ZXMN2F34FHTA

Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Surface Mount

$ 0.163

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	ZXMN2F34FHTA	9,000	3K						0.083	1d
Newark	3	ZXMN2F34FHTA	2,250	5	Cut Tape		0.386	0.246	0.167	0.167
Verical	2	ZXMN2F34FHTA	3,000	3K						0.112
Arrow Electronics	2	ZXMN2F34FHTA	1	1		0.112	0.112	0.112	0.112	0.112
TME	2	ZXMN2F34FHTA	738	1		0.504*	0.326*	0.224*	0.176*	0.176*	2h

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Newark

Datasheet8 페이지18년 전

IHS

TME

Diodes Inc SCT

Future Electronics

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-01-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Diodes Inc. ZXMN2F34FHTA에 대한 설명입니다.

Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet Silica

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Semicontronic

MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

Jak Electronics

DiodesZetex NMOS, Vds=20 V, 4 A, SOT-23, , 3

UnikeyIC

N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS

Diodes Inc SCT

MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:1.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:4A; On State Resistance @ Vgs = 2.5V:120mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:60mohm; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:1.4W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:12V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Min:500mV

element14 APAC