Diodes Inc. ZTX857

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 0.617
Production
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DistributorSKUMinPkg
AvnetZTX85716,0004K
3h
NewarkZTX8572,1471
VericalZTX85716,0004K
DigiKeyZTX857-ND4,9841Bulk
TME
2
ZTX85701
14h

데이터시트 및 문서

Diodes Inc. ZTX857에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Newark

Datasheet3 페이지19년 전
Datasheet3 페이지19년 전

IHS

Diodes Inc SCT

Future Electronics

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대체 부품

이 부품
대체 부품
Diodes Inc.ZTX857
Diodes Inc.ZTX857STZ
Price @ 1000
$ 0.617
$ 0.575
Stock
274,091
64,410
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Surface Mount, Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
300 V
300 V
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
80 MHz
80 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
hFE Min
100
15
Power Dissipation
1.2 W
1.2 W

공급망

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

관련 부품

Diodes Inc.ZTX857STZ
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
세부 사항
Diodes Inc.ZTX657
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, E-Line, Through Hole
세부 사항
Diodes Inc.ZTX457
ZTX457 Series 300 V 1 W 500 mA NPN Bipolar Transistor TO-92
세부 사항
onsemiMPSA42
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 300 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Through Hole
세부 사항
onsemiKSP42BU
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
세부 사항
onsemi2N6517TA
TRANSISTOR,BJT,NPN,350V V(BR)CEO,500MA I; TRANSISTOR,BJT,NPN,350V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-92
세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 Diodes Inc. ZTX857에 대한 설명입니다.

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
ZTX857 Series NPN 5 A 300 V Silicon Planar Medium Power Transistor - TO-92-3
Future Electronics
250mV@ 600mA,3A NPN 1.2W 6V 50nA 330V 300V 3A TO-92 , 4.77mm*2.41mm*4.01mm
UnikeyIC
TRANSISTOR, NPN, E-LINE; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency Typ ft:80MHz; Power Dissipation Pd:1.2W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic @ Vce Sat:3A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:1A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:80MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:1.2W; Power Dissipation Ptot Max:1.2W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:330V
element14 APAC

이미지

element14 APAC
Future Electronics
Distrelec

제조업체 별칭

Diodes Inc.에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Diodes Inc.는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated