Diodes Inc. FMMT494TA

Name: Diodes Inc. FMMT494TA
Brand: Diodes Inc.
SKU: FMMT494TA

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 120 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Surface Mount

$ 0.17

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		FMMT494TA	192	192					0.130	0.130
Verical		FMMT494TA	192	192					0.130	0.130
DigiKey	3	FMMT494CT-ND	12,338	1	Cut Tape	0.740	0.457	0.293	0.200	0.200
TME	2	FMMT494TA	0	1		0.560	0.348	0.214	0.140	0.133	18h
Avnet		FMMT494TA	0	3K						0.109	2d

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IHS

Datasheet7 페이지8년 전

Datasheet2 페이지28년 전

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

Diodes Inc SCT

Future Electronics

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Diodes Inc.FMMT494TA

Diodes Inc.FMMT494TC

Price @ 1000

$ 0.17

$ 0.196

Stock

283,684

822,819

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

120 V

Max Collector Current

1 A

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

300 mV

hFE Min

Power Dissipation

500 mW

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1992-02-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Diodes Inc. FMMT494TA에 대한 설명입니다.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 120 V, 500 mA, 500 mW, SOT-23, Surface Mount

Avnet Silica

FMMT494 Series NPN 1 A 120 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-23

Future Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Semicontronic

Trans GP BJT NPN 120V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power

Digi-ic_SMART PIONEER

300mV@ 50mA,500mA NPN 500mW 7V 100nA 140V 120V 1A SOT-23-3 1.12mm

UnikeyIC

TRANSISTOR, NPN, 120V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor C

element14 APAC

TRANSISTOR, NPN, 120V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V; Typ Gain Bandwidth ft:100MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; Case Style:SOT-23; Current Ib:0.2A; Current Ic hFE:1A; Max Current Ic:1A; Max Current Ic Continuous a:500mA; Max Power Dissipation Ptot:0.5W; Max Voltage Vce Sat:0.3V; Min Hfe:20; Power Dissipation:500mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bipolar; Voltage Vcbo:140V

Farnell