Diodes Inc. DMT10H015LSS-13

Mosfet, N-Ch, 100V, 8.3A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT10H015LSS-13
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IHS

Datasheet7 페이지9년 전

Future Electronics

Diodes Inc SCT

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공급망

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

관련 부품

Diodes Inc.DMT10H014LSS-13
1.2W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 33.3nC@ 10 V 1N 100V 15m¦¸@ 20A,10V 8.9A 1.871nF@50V SOIC-8
InfineonIRF7493PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 11.5 Milliohms;ID 9.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
onsemiFDS3572
N-Channel 80 V 16 mOhm 2.5 W Surface Mount PowerTrench MosFet - SOIC-8
InfineonIRF7854PBF
MOSFET, N Ch., 80V, 10A, 13.4 MOHM, 27 NC QG, SO-8, Pb-Free
Diodes Inc.DMT8012LSS-13
1.5W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 80V 16.5m¦¸@ 12A,10V 9.7A 1.949nF@40V SOIC-8
InfineonIRF7853TRPBF
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

설명

유통업체에서 제공한 Diodes Inc. DMT10H015LSS-13에 대한 설명입니다.

Mosfet, N-Ch, 100V, 8.3A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT10H015LSS-13
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 100 V, RoHS
Diodes Inc SCT
1.2W(Ta) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 33.3nC@ 10 V 1N 100V 16m¦¸@ 20A,10V 8.3A 1.871nF@50V SOIC-8 4.9mm*3.9mm*1.45mm
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET BVDSS 61V100V SO-8 TR 2.5K

제조업체 별칭

Diodes Inc.에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Diodes Inc.는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

부품 번호 별칭

이 부품은 다음과 같은 대체 부품 번호로 알려져 있을 수 있습니다.

  • DMT10H015LSS13