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Easev IGBT(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)

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결과: 9
NGW30T60M3DF - 600 V, 30 A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode
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Igbt N-channel Enhancement 600V IC=25A TO-3P Case High Speed Switch
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CAD 모델
Igbt N-channel Enhancement 400V IC=10A TO-220 Full Pack Case
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CAD 모델
Igbt N-channel Enhancement 900V IC=60A TO-3P Case High Speed Switch
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CAD 모델
Igbt N-channel Enhancement 600V IC=8A TO-220 Full Pack Case
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Igbt N-channel Enhancement 600V IC=15A TO-3P Case High Speed Switch
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Igbt N-channel Enhancement 1200V IC=25amp TO-3P Case High Speed Switch
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Igbt N-channel Enhancement 600V IC=50A TO-3P Case High Speed Switch
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CAD 모델
DistributorSKUMinPkgBulk PricingUpdated
RS (Formerly Allied Electronics)NTE332001BulkUSD
10h
EasevNTE33206,846USD
>1wk
Igbt N-channel Enhancement 400V IC=15A TO-220 Full Pack Case
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DistributorSKUMinPkgBulk PricingUpdated
RS (Formerly Allied Electronics)NTE330101BulkUSD
10h
EasevNTE33017,556USD
>1wk