Vishay SIR410DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR410DP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIR410DP-T1-GE3

Trans Mosfet N-ch 20V 35A 8-PIN Powerpak So T/r / Mosfet N-ch 20V 35A Ppak SO-8

$ 0.522

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	2	SIR410DP-T1-GE3CT-ND	2,297	1	Cut Tape	1.720	1.088	0.726	0.521	0.521
TME	2	SIR410DP-T1-GE3	0	3K						0.690	15h
TTI		SIR410DP-T1-GE3	0	3K	Tape & Reel					0.426	20h
Newark	2	SIR410DP-T1-GE3	0	3K	Tape & Reel					0.577
Avnet		SIR410DP-T1-GE3	0	3K						0.388	3d

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Newark

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element14 APAC

Farnell

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-10-30

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Vishay SIR410DP-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Win Source

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET | Siliconix / Vishay SIR410DP-T1-GE3

RS (Formerly Allied Electronics)

N-CH POWERPAK SO-8 BWL 20V 4.8 MOHM@10V- LEAD(PB) AND HALOGEN FREE

Future Electronics

MOSFET SIR410DP SO8FL N 0.0063R 20V 35A

Component Sense

Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

4.2W(Ta),36W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 41nC@ 10 V 1N 20V 4.8m¦¸@ 20A,10V 35A 1.6nF@10V 6.15mm*5.15mm*1.04mm

UnikeyIC

MOSFET, N-CH, 20V, 35A, POWERPAK8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:36W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:35A; Power Dissipation Pd:36W; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC