SIHP8N50D-E3 by Vishay

Vishay SIHP8N50D-E3

Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin TO-220AB

Obsolete

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	Distributor		SKU		Min	Pkg
	Win Source		WS-SIHP8N50D-E3	1,840	55				1.150	0.767	0.767	3h
	Anlinkda		SIHP8N50D-E3	33,455			1.093	0.979	0.834	0.814	0.783	1d
	RC Electronics		SIHP8N50D-E3	30,050	1		0.790	0.720	0.660	0.630	0.610	>1wk
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IHS

Datasheet8ページ10年前

Newark

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-05-02

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-11-04

LTD Date2025-05-04

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説明

Vishay SIHP8N50D-E3の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin TO-220AB

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS

Jak Electronics

N-CH SINGLE 500V TO220AB

N-CHANNEL 500V

画像

メーカーの別名

Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：

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技術仕様

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight6.000006 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)8.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage500 V

Drain to Source Resistance850 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)500 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time11 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)5 V

Input Capacitance527 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation156 W

Min Breakdown Voltage500 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Rds On Max850 mΩ

Rise Time16 ns

Turn-Off Delay Time17 ns

Turn-On Delay Time13 ns

データシート & ドキュメント

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IHS

Datasheet8ページ10年前

Newark

コンプライアンス

環境分類

Radiation HardeningNo

RoHSCompliant

準拠ステートメント

Rohs Statement5ページ14年前