価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SIHD6N65E-GE3-ND | 2,780 | 1 | Tube | ||||||||
| TTI | SIHD6N65E-GE3 | 1,000 | 50 | Tube | 2h | |||||||
| TME | SIHD6N65E-GE3 | 0 | 1 | 23h | ||||||||
| Newark | SIHD6N65E-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Future Electronics | SIHD6N65E-GE3 | 0 | 20 | Tube |
CADモデル
製造元 Vishay SIHD6N65E-GE3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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関連部品
VishaySIHD6N62E-GE3
78W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 620V 900m¦¸@ 3A,10V 6A 578pF@100V TO-252AA 2.38mm
onsemiNDD60N550U1T4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 8.2A Tc 8.2A 94W Tc 600V
STMicroelectronicsSTD11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
説明
Vishay SIHD6N65E-GE3の詳細は販売業者から提供されます。
E Series N-Channel 650 V 78 W 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:78W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance820 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation78 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time12 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time14 ns