サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTD11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD11N50M2
N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
説明
Infineon SPD07N60C3BTMA1の詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 650 V 600 mOhm 21 nC SIPMOS® Power Mosfet - TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
LOW POWERLEGACY;
LOW POWER_LEGACY
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.3 A
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance790 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation83 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time3.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time6 ns