価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIA449DJ-T1-GE3 | 3 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SIA449DJ-T1-GE3 | 3,000 | 3K | |||||||||
| Verical | SIA449DJ-T1-GE3 | 3,000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SIA449DJ-T1-GE3CT-ND | 40,798 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIA449DJ-T1-GE3 | 3,000 | 3K | Tape & Reel | 1d |
CADモデル
製造元 Vishay SIA449DJ-T1-GE3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
関連部品
VishaySIA400EDJ-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.025 Ohm 17.4 nC 3.5 W Silicon Mosfet - POWERPAK-SC-70-6L
InfineonIRF7416PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
説明
Vishay SIA449DJ-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。
Single P-Channel 30 V 0.038 Ohm 35 nC 3.5 W Silicon Mosfet - POWERPAK-SC-70-6L
SIA449DJ-T1-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 10.4 A, 30 V, 6-PIN SC-70
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Single P-Ch PPAK SC70 Copper wire 30V 24mohm @ 4.5V
场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 12A, POWERPAK SC70;
Vishay PMOS TrenchFET, Vds=30 V, 10.4 A, SOT-363, , 6
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance2.14 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max20 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height850 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm