Infineon IRF7416PBF

Name: Infineon IRF7416PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7416PBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -30V; Rds(on) 0.02 Ohm; Id -10A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V; -55

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF7416PBF	0	3800	Bulk					1.010	15h
Farnell	IRF7416PBF	0	5			0.915*	0.628*	0.438*	0.430*	22h
Win Source	WS-159932	45,240	185					0.228	0.211	23h
Worldway Electronics	IRF7416PBF	18,262	7	Tube		0.095	0.092	0.088	0.088	22h
ICPartonline	IRF7416PBF	28,643			0.475	0.452	0.428	0.404	0.380	1d

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRF7416PBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet9ページ14年前

Datasheet9ページ20年前

IHS

element14 APAC

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

CADモデル

製造元 Infineon IRF7416PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-08-08

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRF7416PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55

RS (Formerly Allied Electronics)

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 0.02ohm; 2.5W; -55+150 deg.C; SMD; SO8

Maritex

Single P-Channel 30 V 0.02 Ohm 61 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R

Avnet

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS

Infineon SCT

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET

Infineon

MOSFET, P, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:8.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-10A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Pin Configuration:b; Pin Format:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:45A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:F7416; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:-30V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

element14 APAC