価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SI7172DP-T1-GE3 | 974 | 2 | |||||||||
| Arrow Electronics | SI7172DP-T1-GE3 | 974 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SI7172DP-T1-GE3CT-ND | 854 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7172DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 4h | |||||||
| Newark | SI7172DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Cut Tape |
CADモデル
製造元 Vishay SI7172DP-T1-GE3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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関連部品
VishaySI7738DP-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R / MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
説明
Vishay SI7172DP-T1-GE3の詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 200 V 0.07 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 25 A, 0.076 ohm, SOIC, Surface Mount
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:25A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:20V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:5.4W; No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: No
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5.4 W
Rds On Max70 mΩ
Resistance70 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント