IRLZ14STRLPBF by Vishay

Vishay IRLZ14STRLPBF

3.7W(Ta), 43W(Tc) 10V 2V@ 250¦ÌA 8.4nC@ 5 V 1N 60V 200m¦¸@ 6A, 5V 10A 400pF@25V D2PAK, TO-263

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	Distributor		SKU		Min	Pkg
	DigiKey	2	IRLZ14STRLPBFCT-ND	98	1	Cut Tape	2.320	1.484	1.007	1.007	1.007
	TME	2	IRLZ14STRLPBF	0	1		1.870	1.220	0.880	0.621	0.523	22h
	TTI		IRLZ14STRLPBF	0	800	Tape & Reel				0.670	0.670	2h
	Avnet		IRLZ14STRLPBF	0	800					0.601	0.558	2d
	Future Electronics		IRLZ14STRLPBF	0	800	Tape & Reel				0.660	0.640

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IHS

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Future Electronics

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2020-09-15

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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説明

Vishay IRLZ14STRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。

3.7W(Ta),43W(Tc) 10V 2V@ 250¦ÌA 8.4nC@ 5 V 1N 60V 200m¦¸@ 6A,5V 10A 400pF@25V D2PAK,TO-263

Unikeyic (ICkey)

Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

画像

Future Electronics

メーカーの別名

Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：

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技術仕様

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight1.437803 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)10 A

Drain to Source Resistance200 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time26 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)10 V

Input Capacitance400 pF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation43 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape & Reel (TR)

Power Dissipation3.7 W

Rds On Max200 mΩ

Rise Time110 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time17 ns

Turn-On Delay Time9.3 ns

Dimensions

Height4.83 mm

Length10.41 mm

Width9.65 mm

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コンプライアンス

環境分類

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

RoHSCompliant

準拠ステートメント

Rohs Statement5ページ14年前